Étage phono Rega Aria MK3 MM/MC

L'Aria est un amplificateur entièrement analogique, sans circuit de commande numérique. Son boîtier entièrement en aluminium protège le circuit interne des interférences radioélectriques. Nos concepteurs ont évité tout composant superflu, susceptible d'obstruer le trajet du signal et de dégrader la qualité sonore. L'Aria intègre de nombreuses innovations, notamment un servo-contrôleur auto-ajustable qui maintient le circuit d'entrée MC à son niveau optimal et compense ainsi les variations de température ambiante ou de fonctionnement.

Les deux étages disposent de leurs propres prises d'entrée et circuits de préamplification d'entrée. Cela nous a permis de concevoir des circuits d'entrée sur mesure pour chaque type de cellule, sans compromis. La commutation du signal s'effectue à haut niveau et à faible impédance (via des relais), garantissant ainsi l'absence de dégradation du signal.

Caractéristiques principales

• Étage MC et MM commutable hautes performances
• Platine MC entièrement réglable
• L'entrée MC utilise des FET à faible bruit connectés en parallèle
• L'entrée MM utilise des transistors bipolaires à faible bruit
• Étui conçu sur mesure
• Amplificateur tout analogique
• Circuit d'entrée sur mesure pour MM et MC
• Garantie à vie contre les défauts de fabrication
  
  

  Conception et caractéristiques de la scène MM

  L'entrée MM utilise des transistors d'entrée bipolaires à faible bruit, également configurés en paire composée. Chaque canal dispose de deux alimentations distinctes et de sous-alimentations pour chaque circuit d'entrée à faible bruit. Des condensateurs électrolytiques Nichicon FG sont utilisés aux emplacements critiques des alimentations. Des condensateurs en polypropylène sont utilisés dans le chemin du signal et les réseaux d'égalisation. Des circuits discrets sont utilisés sur tout le chemin du signal, garantissant un contrôle total de la conception du circuit.

  Conception et caractéristiques de la scène MC

  L'entrée MC utilise des transistors à effet de champ (FET) à faible bruit, montés en parallèle et configurés en paire. L'utilisation de transistors FET garantit l'absence de courant de polarisation dans la bobine de la cellule, préservant ainsi sa géométrie magnétique délicate. L'entrée MC permet de sélectionner une charge résistive de 70 Ω à 400 Ω et une charge capacitive de 1 000 pF à 4 200 pF. La sensibilité d'entrée est réglable de 6 dB via le panneau arrière.
  
  

  Spécifications techniques

  Niveau de sortie maximal

  11 V RMS

  Niveau de sortie nominal

  200 mV

  Résistance de sortie

  100 Ω

  Résistance de sortie minimale pour un -3 dB à 15 Hz

  1 k

  Consommation d'énergie

  10 W

  Température ambiante de fonctionnement

  5 à 35 °C

  Dimensions (L × H × P)

  218 x 78 x 315 mm

  Poids

  3,1 kg